Power Macintosh:使用 FPM、EDO、SDRAM 與 SGRAM
摘要
此文章說明何謂 FPM、EDO、SDRAM 與 SGRAM,並列出可使用這些不同類型記憶體的 Power Macintosh 電腦。
受影響的產品
iMac (2001 年夏天), Power Mac, iMac (2000 年夏天), iMac (Early 2001), iMac (吸入式), iMac
Fast-Page Mode (FPM)、Extended Data Out (EDO)、Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) 與 Synchronous Graphic Random Access Memory (SGRAM) 為各種 Power Macintosh 電腦所使用的不同類型記憶體。 下表將摘要可用於不同 Power Macintosh 電腦的記憶體類型。 詳細資訊請參閱下表。
| Power Macintosh 機型 | ||||
| 6100, 7100, 8100 | ||||
| 4400 | VRAM:5 V DRAM:3.3 V | |||
| 5200, 5300, 6200, 6300 | ||||
| 5400、6360 與部分 6400 | ||||
| 5500 & 6500 | ||||
| 6400 (僅限部分規格) | ||||
| 7200 | ||||
| 7300, 7500, 7600, 8500, 8600, 9500, 9600 | DRAM:+5 V | |||
| Power Macintosh G3 | ||||
| Power Macintosh G3 (Blue and White) | ||||
| Power Mac G4 (所有機型) | ||||
| iMac | ||||
| iMac (吸入式光碟機)、(2000 年夏)、(2001 年初)、(2001 年夏) |
附註
1. 內建 Zip 磁碟機的 Macintosh Performa 6400/200 電腦可使用 EDO 記憶體。 在其他的 Power Macintosh 6400 電腦上,EDO 記憶體將作為 FPM 記憶體運作。
2. 括弧內的產品描述 (2000 年夏) 與 (2001 年夏) 指的是北半球的夏季。
Fast Paged Mode 記憶體
記憶體晶片上的特殊位置可透過列位址與欄位址加以辨識。 每次存取記憶體時,記憶體控制器首先會向晶片提供列位址,然後再提供欄位址。 從這些位置獲取的資訊生效之後,便會停用欄位址並準備進入下一個週期。 由於欄位址停用時不會執行任何動作,因此將導致記憶體處於等待的狀態。 處理器必須等候記憶體完成週期。
Fast Paged Mode (FPM) 晶片允許記憶體控制器選取特定的列位址,然後再存取該列對應的欄位址,以降低讀取這些位址所需的時間。 此程序的運作假設為,下一個與上一個需要的資料片段會位於記憶體中的相鄰位置。 由於列位址只須設定一次,僅有直欄位址會更改,這可節省從記憶體讀取或寫入資訊的時間。
EDO 記憶體
EDO DRAM 是 FPM 記憶體的子集,可在第一個位址讀取資料時,讓記憶體開始搜尋下一個位址的列位址與欄位址,為記憶體控制器節省更多時間。 由於在準備下一個讀取作業時,EDO 記憶體可將輸出緩衝區維持開啟,因此才得以實現此程序。 透過將緩衝區維持開啟,EDO 可消除等待的狀態。 由於 EDO RAM 可持續存取資料而無須等候位址的搜尋完成,因此可加速資料傳輸率。 這可減少約百分之十的讀取週期時間。 然而,在寫入週期時,系統的運作方式與 FPM 晶片完全相同。
雖然 EDO 裝置可為主要記憶體提升約百分之十的時間效率,但這並不必然表示程式的執行速度將加快百分之十。 處理器常需要從快取記憶體取得指示與資料,例如 PowerPC 微處理器的 L1 快取和/或主機板的 L2 快取。
SDRAM
電腦執行的處理程序會由內建時鐘進行協調,但記憶體存取通常會使用自己的固定時鐘來讀取或寫入資料。 無須與內建時鐘的程序同步其動作,記憶體存取已設定讀取與寫入資料的時間 (無論程序所需的實際時間為何)。 這有時會造成一段沒有任何動作執行的等待週期。 因此,記憶體會被視為非同步。
然而,Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) 可消除記憶體速度與處理器速度之間的差異,因為 SDRAM 的時鐘可與電腦的中央處理器時鐘同步。 因此,SDRAM 只會使用讀取/寫入資料所需的時間,這可消除無用的等待時間以提升資料傳輸率。 時鐘會與電腦中央處理器的時鐘協調,因此資料可持續傳送至微處理器。 記憶體、微處理器與其它支援晶片之間的計時協調,可提升記憶體的存取效率並消除等待狀態。 這導致記憶體的存取速度較 EDO 提升多達 20%。
在 Power Macintosh 電腦上使用 SDRAM
Power Macintosh 4400/200 系列「僅」支援使用 SDRAM 作為視訊記憶體。 您無法使用 SDRAM 作為主機板上的主要記憶體裝置。 Power Macintosh 4400 系列包括用於視訊記憶體 2 MB 的 EDO 記憶體,但可支援最多 4 MB 的 SDRAM 或 SGRAM。
Power Macintosh G3、Power Macintosh G3 (藍色和白色)、Power Mac G4 與 iMac 都支援將 SDRAM 用於主要記憶體的擴充。
SGRAM
Synchronous Graphics Random Access Memory (SGRAM) 的功能類似於 SDRAM,但新增圖形支援的功能。 圖形支援是由加入區塊寫入與遮罩寫入 (或每位元寫入) 的功能所提供。
區塊寫入可讓繪圖引擎進行圖形資料的區塊傳送 (例如分割),並可解譯這些較大的資料封包。 區塊寫入常用於 3-D 作業,以清除緩衝區或準備進行新的運算。 透過圖形記憶體中的區塊寫入功能,繪圖引擎即可轉而進行其他工作,以提升運作的效能。 遮罩寫入可簡化在資料區塊中所選取之位元的更改程序。 遮罩寫入可使用遮罩來提升繪圖效能,例如顯示器的色彩管理。
在 Power Macintosh 電腦上使用 SGRAM
Power Macintosh 4400、5500、6500 系列與 Power Macintosh G3 都可支援 SGRAM。 在上述電腦中,「僅」支援 SGRAM 作為視訊記憶體;您無法使用 SGRAM 作為主機板上的主要記憶體裝置。
The Power Macintosh 4400 series includes 2 MB of EDO memory for video memory, but it supports up to 4 MB of SDRAM or SGRAM. Power Macintosh 5500 與 6500 系列電腦已包括 2 MB 的 SGRAM,且「無法」擴充。